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明佳达，星际金华 供求MTA18ASF2G72HZ-3G2R1,MTA18ASF2G72HZ-2G6E1内存卡模块，MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B存储器 MTA18ASF2G72HZ-3G2R1 16GB 内存卡模块 产品描述 MTA18ASF2G72HZ-3G2R1 高速模块使用 DDR4 SDRAM 设备，具有两个或四个内部内存组。 特性 支持元件数据表中定义的 DDR4 功能和操作 260 引脚、小型双列直插式内存模块 (SODIMM) 功能 MTA18ASF2G72HZ-2G6E1 内存卡模块 DDR4 SDRAM 16GB 260-SODIMM 产品描述 MTA18ASF2G72HZ-2G6E1 模块采用 4 位和 8 位宽 DDR4 SDRAM 设备，具有四个内部存储组，每个存储组由四个存储体组成，共提供 16 个存储体。 功能特点 快速数据传输速率： PC4-3200、PC4-2666 或 PC4-2400 16GB （2 千兆 x 72） VPP = 2.5V（标称电压） MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B SDRAM-移动存储器 IC 产品描述 MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B 是 SDRAM - 移动 LPDDR4X 存储器 IC 16Gbit 并行 2.133 GHz 3.5 ns 200-TFBGA (10x14.5)。 特性 通过专用模式寄存器读取训练模式 命令和地址引脚 (VREFCA) 以及芯片选择引脚 (VREFCS) 的内部参考电压
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发表于 2024-5-20 14:12:14