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[供应] 供求IC:NCV75215DB001R2G,NCV7535DBR2G,R5S72660W144FP 电子器件

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发表于 2024-4-12 14:24:34 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: NCV75215DB001R2G , NCV7535DBR2G , R5S72660W144FP
深圳市明佳达电子,星际金华长期(供应及回收)原装库存器件!
【元器件】NCV75215DB001R2G,NCV7535DBR2G,R5S72660W144FP(供应,回收)
【供应】只做原装,库存器件,价格方面由于浮动不一,请以当天询问为准!
【回收】只需原装库存器件,须有原厂外包装标签,有库存的朋友,欢迎随时联络我们!

一、NCV75215DB001R2G:超声波停车距离测量 ASSP
型号:NCV75215DB001R2G
封装:TSSOP-16
类型:超声波停车距离测量 ASSP
产品说明:NCV75215DB001R2G 是超声波泊车距离测量 ASSP,它与压电式超声波传感器配合使用,可在车辆泊车时对障碍物距离进行飞行时间测量。
产品属性:
电流 - 供电:8mA(最大)
电压 - 供电:6V ~ 18V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-TSSOP

二、NCV7535DBR2G:SPI 控制 H桥和双半桥前置驱动器
型号:NCV7535DBR2G
封装:TSSOP-20
类型:电机驱动器,控制器
产品说明:NCV7535DBR2G 是一款单片式 SPI 控制 H 桥预驱动器,可控制直流电机。由于采用了 SPI 接口,它具有汽车系统中有用的增强功能集。
产品特征:
主电源功能工作范围 5 V 至 28 V
主电源参数工作范围 6 V 至 18 V
主动和待机工作模式
与低阻抗标准级 N 沟道 MOSFET 兼容
用于内部高压侧电源的增强型充电泵
N 沟道 MOSFET 反向电池保护专用引脚
可编程压摆率、死区时间和过流电平
PWM 操作频率高达 25 kHz
主动或被动续流
高压侧或低压侧续流
可配置为单 H 桥或双半桥模式
24 位 SPI 接口

三、R5S72660W144FP:微控制器IC 32位单核 144MHz
型号:R5S72660W144FP
封装:LQFP-144
类型:32位单核微控制器IC
产品说明:R5S72660W144FP 是一款单芯片 RISC(精简指令集计算机)微控制器,内核包括 Renesas 原创的 RISC CPU,以及配置系统所需的外设功能。
产品属性:
核心处理器:SH2A-FPU
内核规格:32 位单核
速度:144MHz
I/O 数:80
程序存储器类型:ROMless
RAM 大小:1.5M x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.15V ~ 3.6V
数据转换器:A/D 6x10b
振荡器类型:外部
工作温度:-20°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:144-LFQFP(20x20)
封装/外壳:144-LQFP

明佳达电子,星际金华长期(供求)原装库存器件:NCV75215DB001R2G,NCV7535DBR2G,R5S72660W144FP,有意者欢迎随时联络我们!

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