AFGHL40T65SQ，AFGHL40T65SQD，AFGHL50T65RQDN 单 IGBT 晶体管

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明佳达，星际金华供求 AFGHL40T65SQ，AFGHL40T65SQD，AFGHL50T65RQDN 单 IGBT 晶体管

28ns AFGHL40T65SQ 单通道 IGBT 晶体管 TO-247-3 通孔 238W 沟槽场阻

产品描述

AFGHL40T65SQ 28ns 单 IGBT 晶体管，封装为 TO-247-3、通孔、238W 沟道场截止。TC = 100°C 时的最大功率耗散为 119W。

特性

TC = 25°C 时的最大功率耗散： 238W

TC = 100°C 时的最大功率耗散： 119W

工作结点/存储温度范围：-55°C ~ 175°C (TJ)

二极管正向电流 @ TC < 25°C： 80A

二极管正向电流 @ TC < 100°C： 20A

汽车芯片 AFGHL40T65SQD 场截止沟槽式 IGBT 40A 单 IGBT 晶体管

产品描述

AFGHL40T65SQD 场截止沟槽式 IGBT 40A 单 IGBT 晶体管，最高结温 TJ = 175°C。

特性

集电极至发射极电压：650V

栅极至发射极电压：±20V

瞬态栅极至发射极电压：±30V

集电极电流 @ TC = 25°C： 80A

集电极电流 @ TC = 100°C： 40A

脉冲集电极电流：160A

汽车芯片 AFGHL50T65RQDN IGBT 沟道场截止晶体管 268W TO-247-3

产品描述

AFGHL50T65RQDN 是独立型 IGBT、50A、650V 场截止沟槽式 IGBT 晶体管。包装为 TO-247-3（通孔）。