PW4406 SOP8封装 30V 18A N沟道MOSFET场效应管 原装

发布时间:2023-12-14 10:15    发布者:百盛电子666
概述

PW4406采用先进的沟槽技术和设计,以低功耗提供出色的RDS(ON)

栅极电荷。它可以用于各种各样的应用                                                                                                                                                                                                                       功能
VDS=30V ID=18A

RDS(ON)<7mQ@VGS=10V

提供8针SOP包装 PW4406-1.png PW4406-2.png PW4406-3.png

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