PW4406 SOP8封装 30V 18A N沟道MOSFET场效应管 原装
发布时间:2023-12-14 10:15
发布者:百盛电子666
概述 PW4406采用先进的沟槽技术和设计,以低功耗提供出色的RDS(ON) 栅极电荷。它可以用于各种各样的应用 功能 VDS=30V ID=18A RDS(ON)<7mQ@VGS=10V 提供8针SOP包装 ![]() ![]() ![]() |
概述 PW4406采用先进的沟槽技术和设计,以低功耗提供出色的RDS(ON) 栅极电荷。它可以用于各种各样的应用 功能 VDS=30V ID=18A RDS(ON)<7mQ@VGS=10V 提供8针SOP包装 ![]() ![]() ![]() |
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