NT2955G-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析

VBsemi

NTF2955T1G (VBJ2658)参数说明  P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装  SOT223。
应用简介  NTF2955T1G适用于低功率开关和电流控制等领域。
其低导通电阻和小封装使其在紧凑场景中表现出色。
适用领域与模块  适用于低功率开关、电流控制和模拟开关等领域模块，特别适合紧凑型应用的场景。