IPL60R085P7，IPL60R095CFD7 [N通道晶体管] IPL65R115CFD7，IPL60R115CFD7

Mingjiada

IPL60R085P7：N通道晶体管 600V 表面贴装型
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：39A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 11.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 590μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：51 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2180 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：154W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-VSON-4
封装/外壳：4-PowerTSFN


IPL60R095CFD7：N通道晶体管 600V 表面贴装型
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：95 毫欧 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 570μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：51 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2103 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：147W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-VSON-4
封装/外壳：4-PowerTSFN


深圳市明佳达电子（星际金华）供应及回收原装库存器件！
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IPL65R115CFD7：N通道晶体管 650V 表面贴装型
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：115 毫欧 @ 9.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 480μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1942 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：144W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）


IPL60R115CFD7：22A 600V N通道功率MOSFET晶体管
型号：IPL60R115CFD7
封装：4-PowerTSFN
类型：N通道功率MOSFET晶体管
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Tc）
应用于服务器、电信、电动汽车充电、SMPS、PC 电源。