|
深圳市明佳达电子,星际金华(供应及回收)原装库存器件!
N通道晶体管:IRFP4668PBF,IRFS3006TRL7PP,BSC027N06LS5,BSZ146N10LS5(供应,求购)
【供应】只做原装,库存器件,价格方面由于浮动不一,请以当天询问为准!
【回收】只需原装器件,须有原厂外包装标签,有库存的朋友,欢迎随时联络我们!
IRFP4668PBF:通孔 N通道晶体管 200V TO-247AC
FET 类型:N通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A(Tc)
功率耗散(最大值):520W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247AC
封装/外壳:TO-247-3
IRFS3006TRL7PP:表面贴装型 N通道晶体管 60V 240A(Tc) 375W(Tc)
FET 类型 N通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
功率耗散 375W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK(7-Lead)
封装/外壳 TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB
BSC027N06LS5:表面贴装型 N通道晶体管 60V PG-TDSON-8-7
FET 类型 N通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
功率耗散(最大值) 83W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TDSON-8-7
封装/外壳 8-PowerTDFN
BSZ146N10LS5:N通道晶体管 表面贴装型 100V 40A
FET 类型 N通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
功率耗散(最大值) 52W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳 8-PowerTDFN
|
|