RU3040M3 30V漏源电压 N沟道功率MOSFET

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概述：

N沟道功率MOSFET——RU3040M3，采用DFN3333封装，其漏源电压VDSS为30V，栅源电压VGSS为±20V，连续漏极电流ID为40A（安装于大型散热片上，VGS=10V，TC=25℃），存储温度范围为-55℃~+150℃，漏源导通电阻的典型值为5mΩ（VGS=10V, IDS=25A），总栅极电荷Qg的典型值为15nC（VDS=24V，VGS=10V，IDS=25A）。该器件经过100%雪崩测试 ，可提供无铅和绿色环保器件，符合RoHS标准，可用于服务器的板载电源和同步整流等。

产品特点

• 30V/40A

• RDS (ON) =5mΩ(典型值)@VGS=10V

• RDS (ON) =6.5mΩ(典型值)@VGS=4.5V

• 超高密度单元设计

• 切换速度快

• 低栅极电荷

• 100%雪崩测试

• 提供无铅和绿色环保器件（符合 RoHS 标准）

产品应用

• 开关应用系统

• 服务器的板载电源

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