思开半导体产品推介 | SS018N08LS助力新能源储能市场

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]在全球能源转型加速和双碳目标大背景下，各国政府碳中和方案相继落地，新能源电力装机量快速提升，新能源储能的需求激增，储能行业迎来巨大的发展机遇和市场空间。

[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]随着移动电子市场规模的不断扩大，便携式储能产品的需求也逐渐增加。同时受益于锂离子电池市场近年来的迅猛发展，随着便携式储能产品在技术上的迅猛发展，安全性能也逐渐提高，成为日常生活中不可缺少的产品之一。目前，全球便携式储能产品出货量、市场规模、产量、销量保持高速增长，中国成为全球便携式储能产品的主要产区。

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[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]消费电子产品、电子整机等市场体量在近几年增长迅速，产业链对于 MOSFET 的需求也水涨船高。伴随大功率快充技术的普及，电源厂商对 MOS 器件的耐压、内阻等各维度性能也提出了更高的要求；而随着汽车电气化、5G商用化进程的深入推进，市场对于 MOSFET 的需求也朝着多元化方向发展。

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[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]TOLL 封装适用于中低压 MOS（耐压40V～150V，电流超过300A）、超结SJ-MOS的封装，package 厚度 2.3mm，占板面积 115m㎡。相比 TO-263-6L，TOLL占板面积缩小 30％，高度减小 50％，节省了宝贵的 PCB 应用空间，而且热阻更小从而散热效率更高，封装寄生电感更小，有助于降低生产成本和散热解决方案成本、提高功率密度。

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[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]思开半导体的产品采用先进的 SGT 工艺和大电流的 TOLL 封装，具有超低的导通电阻和寄生电感，出色的热性能，高系统可靠性等特点，不仅所需并联和散热部件较少，还有利于节省空间，提高产品功率密度。

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[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]思开半导体的SS018N08LS已经成为新能源储能市场 MOS 管爆款“顶流明星”产品，月出货量可达到1KK以上。

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[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]思开半导体的SS018N08LS是一款漏源击穿电压 85V 的N沟道 MOS，采用 TOLL 封装，VGS 耐压 ±20V，Vth 为3V，漏极电流最高 320A，VGS 为 10V 时导通电阻 RDS(on) 典型值为 1.3mΩ，适用于电池管理、轻型电动汽车、电动摩托车、电动叉车、同步整流等产品。

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[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]思开半导体此次采用的 TOLL 封装，相比 TO-263-6L 封装不仅有着更小的体积和占板面积，而且具备低封装寄生和电感效应，以及出色的 EMI 表现和热性能；TOLL 封装拥有可焊侧翼，可以很好满足高安全性和高可靠性的大功率应用场景。