串行闪存-NOR存储器W25Q256JWEIQ/LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR 现场可编程门阵列
发布时间：2023-7-11 10:56
发布者：xingjijinhua
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W25Q256JWEIQ
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明佳达，星际金华供求 串行闪存-NOR存储器W25Q256JWEIQ/LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR 现场可编程门阵列 W25Q256JWEIQ 1.8V 256Mb 串行闪存-NOR 存储器 IC，带双四路 SPI 产品描述 W25Q256JWEIQ（256M-bit）串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远远超过普通的串行闪存器件。它们非常适合于代码阴影到RAM、直接从双/四SPI (XIP)执行代码以及存储语音、文本和数据。器件采用1.7V至1.95V单电源供电，掉电时电流消耗低至1μA。所有器件均采用节省空间的封装。 W25Q256JWEIQ阵列分为131,072个可编程页，每个页256字节。一次最多可编程256字节。页可按16个一组（4KB扇区擦除）、128个一组（32KB块擦除）、256个一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q256JWEIQ分别有8,192个可擦除扇区和512个可擦除块。W25Q256JWEIQ分别有8,192个可擦写扇区和512个可擦写块。 W25Q256JWEIQ支持标准串行外设接口（SPI）、高性能双/四路输出以及双/四路I/O SPI： 串行时钟、片选、串行数据I/O0 (DI)、I/O1 (DO)、I/O2和I/O3。支持高达133MHz的SPI时钟频率，当使用SPI快速读取Quad I/O指令时，Quad I/O的等效时钟频率为532MHz（133MHz x 4）。这些传输速率优于标准异步8位和16位并行闪存。 产品特点 新型SpiFlash存储器系列 最高性能的串行闪存 低功耗、宽温度范围 4KB扇区的灵活架构 先进的安全特性 节省空间的封装 FPGA IC LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR 现场可编程门阵列 UFBGA49 产品描述 LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR采用65 nm非易失性低功耗工艺设计。该器件架构具有多种特性，例如可编程低摆幅差分 I/O，以及动态关闭 I/O 组、片上 PLL 和振荡器的能力。这些特性有助于管理静态和动态功耗，从而实现该系列所有成员的低静态功耗。 特点 灵活的逻辑架构 六款器件，具有 256 至 6864 个 LUT4 和 18 至 334 个 I/O 超低功耗器件 先进的 65 纳米低功耗工艺 待机功耗低至22 μW 可编程低摆幅差分I/O 待机模式和其他省电选项 嵌入式和分布式存储器 高达 240 kbits sysMEM™ 嵌入式块 RAM 高达54 kbits的分布式RAM 专用FIFO控制逻辑 片上用户闪存 高达256 kbits的用户闪存 |
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