[IC芯片] STM32F401VCT6，STM32F401VCH6，FDMT80060DC，MX66L2G45GXRI00（供应，回收）

Mingjiada

一、STM32F401VCT6：微控制器 IC 32 位单核 84MHz 256KB（256K x 8） 闪存 100-LQFP
核心处理器：ARM® Cortex®-M4
内核规格：32 位单核
速度：84MHz
I/O 数：81
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：闪存
RAM 大小：64K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 16x12b
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：100-LQFP
供应商器件封装：100-LQFP（14x14）

二、STM32F401VCH6：微控制器 IC 32 位单核 84MHz 256KB（256K x 8）闪存 100-UFBGA
核心处理器：ARM® Cortex®-M4
内核规格：32 位单核
速度：84MHz
I/O 数：81
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：闪存
RAM 大小：64K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 16x12b
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：100-UFBGA
供应商器件封装：100-UFBGA（7x7）

三、FDMT80060DC：N-通道 60 V 43A（Ta），292A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 表面贴装
产品说明：FDMT80060DC 是60 V、292 A、1.1 mΩ MOSFET - N沟道晶体管。
FDMT80060DC 产品特征：
在 VGS = 10 V、ID = 43 A 时，最大 rDS(on) = 1.1 m
在 VGS = 8 V、ID = 37 A 时，最大 rDS(on) = 1.3 m
先进的封装和硅组合实现了低rDS(on)和高能效
新一代增强型体二极管技术，专为软恢复而设计
扁平的8x8毫米MLP封装
MSL1稳健的封装设计
100%通过UIL测试

四、MX66L2G45GXRI00：FLASH - NOR 存储器 IC 2Gb SPI - 四 I/O，DTR 166 MHz 24-CSPBGA（6x8）
存储器类型： 非易失  
存储器格式： 闪存  
技术： FLASH - NOR  
存储容量： 2Gb  
存储器组织： 256M x 8  
存储器接口： SPI - 四 I/O，DTR  
时钟频率： 166 MHz  
写周期时间 - 字，页： 40ms，1.5ms  
电压 - 供电： 2.7V ~ 3.6V  
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）  
安装类型：表面贴装型  
封装/外壳： 24-TBGA  
供应商器件封装： 24-CSPBGA（6x8）

深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
（供求芯片）STM32F401VCT6，STM32F401VCH6，FDMT80060DC，MX66L2G45GXRI00。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！