光电二极管的结构和特性

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   当用作光传感器时，天竺葵光电二极管的暗电流（0 勒克斯）约为 10uA，硅型二极管约为 1uA。当光照射到结上时，会形成更多的空穴/电子对，漏电流也会增加。该漏电流随着结的照度的增加而增加。

    因此，光电二极管电流与落在 PN 结上的光强度成正比。光电二极管用作光传感器时的一个主要优点是它们对光照水平变化的快速响应，但这种类型的光电器件的一个缺点是即使在完全点亮时电流也相对较小。
    下面的电路显示了使用运算放大器作为放大器件的光电流电压转换器电路。输出电压 (Vout) 的计算公式为Vout = I P *Rf，它与光电二极管的光强度特性成正比。

    这种类型的电路还利用具有两个输入端的运算放大器在大约零电压下的特性来在无偏置的情况下操作光电二极管。这种零偏置运算放大器配置为光电二极管提供了高阻抗负载，从而减少了暗电流的影响，并且光电流相对于辐射光强度的线性范围更宽。电容器C f用于防止振荡或增益峰值并设置输出带宽( 1/2πRC )。

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