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一、FS200R07A1E3:IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 650 V 250 A 790 W 底座安装
型号:FS200R07A1E3
封装:模块
类型:IGBT模块
产品描述:FS200R07A1E3是HybridPACK™1个模块,带沟槽/场阻IGBT 3和发射极控制3二极管和NTC。
FS200R07A1E3 产品属性:
IGBT 类型:沟槽型场截止
配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):250 A
功率 - 最大值:790 W
电流 - 集电极截止(最大值):1 mA
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
FS200R07A1E3 产品特征:
沟槽IGBT 3
VCES=650伏
温度=150°C
2.5 kV交流1分钟绝缘
集成NTC温度传感器
二、FS400R07A3E3:650V三相逆变器400A,IGBT模块
型号:FS400R07A3E3
封装:模块
类型:IGBT模块
产品说明:FS400R07A3E3是HybridPACK™ DC6模块,带沟槽/场阻IGBT3和发射极控制的3二极管和NTC。
FS400R07A3E3 产品特征:
VCES=700伏
IC标称值=400A/ICRM=800A
将阻断电压能力提高到705V
VCE,具有正温度系数的sat
低VCE,sat
低开关损耗
低电感设计
Tvj,操作=150°C
短时延长运行温度Tvj,op=175°C
2.5kV交流1分钟绝缘
集成NTC温度传感器
高机械坚固性
三、CY8C5668AXI-LP034:微控制器 IC 32 位单核 67MHz 256KB 闪存 100-TQFP
型号:CY8C5668AXI-LP034
封装:100TQFP
类型:32位单核微控制器IC
产品说明:CY8C5668AXI-LP034提供了一种新型的信号采集、处理和控制方法,并具有高精度、高带宽和高灵活性等特点。
产品属性:
核心处理器:ARM® Cortex®-M3
内核规格:32 位单核
速度:67MHz
I/O 数:62
程序存储容量:256KB(256K x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM 容量:2K x 8
RAM 大小:64K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.71V ~ 5.5V
数据转换器:A/D 2x12b; D/A 4x8b
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:100-LQFP,100-TQFP(14x14)
四、ADUC7061BCPZ32:微控制器IC 16/32-bit 10MHz 32KB (16K x 16) 闪存
型号:ADUC7061BCPZ32
封装:32-LFCSP
类型:微控制器IC
产品说明:ADUC7061BCPZ32是完全集成的8kSPS、24位数据采集系统,在单芯片上集成了高性能多通道Σ-Δ模数转换器(ADC)、16位/32位ARM7TDMI® MCU和Flash/EE存储器。
ADUC7061BCPZ32 产品特征:
双(24位)ADC
单端和差分输入
可编程的ADC输出速率(4赫兹至8千赫)。
可编程的数字滤波器
内置系统校准
低功耗操作模式
初级(24位)ADC通道
2个差分对或4个单端通道
PGA(1至512)输入级
可选择的输入范围:±2.34 mV至±1.2 V
30 nV rms 噪声
辅助(24位)ADC:4对差分或7个单端通道
片上精密基准(±10 ppm/°C)
可编程的传感器激励电流源
200uA至2 mA的电流源范围
深圳市明佳达电子,星际金华长期(供应及回收)原装库存器件!
(供求器件)FS200R07A1E3,FS400R07A3E3,CY8C5668AXI-LP034,ADUC7061BCPZ32。
【供应】只做原装,库存器件,价格方面由于浮动不一,请以当天询问为准!
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