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[供应] CMS015G120T3PA 中微半导体 1200V/15A 功率器件IGBT

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发表于 2023-1-11 18:35:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: CMS015G120T3PA , 中微半导体IGBT
中微半导体与国内知名FAB合作开发的600V-1350V IGBT产品系列,广泛应用于电机和消费类领域。在正向和阻断状态下,我们的IGBT功率损耗极低,仅需低驱动功率便可发挥高效率。
中微半导体IGBT产品具备国际领先的单芯片集成RC技术,更大的安全工作区(SOA),更强的抗冲击能力,更足额的耐压余量,极低的开关损耗,1000H HTGB/HTRB可靠性测试。产品非常适合用于新能源汽车、白色家电、电磁炉、马达驱动、UPS、焊机等新能源应用。IGBT产品系列击穿电压有足够的冗余,各种参数一致性高,短路电流能力出色。




CMS015G120T3PA
主要参数:
集电极-发射极电压VCE:   1200V
集电极电流: 15.A
饱和压降VCE SAT:   1.7V
二极管压降VF:   1.6V
封装: TO-252
产品特性:沟槽栅场截止工艺技术 、低饱和压降、10μs 短路能力、无铅引脚符合ROHS要求
应用领域: 电磁炉、微波炉、软开关应用
更多IGBT型号                              
CMS007G060DP3A        TO-252      600V/7A               
CMS007G060T63A         TO-263    600V/7A      
CMS007G060T63B         TO-263      600V/7A   
CMS020G060T47A         TO-247      600V/30A
CMS030G060T47A         TO-247      600V/40A
CMSG50N60CA               TO-247      600V/50A
CMSG025R120CB           TO-247      1200V/25A
CMS040G120T47A         TO-247        1200V/20A
CMS015G135T47A         TO-247        1350V/20A
CMS025G135T3PB         TO-3PN        1350V/25A   

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