中微半导体与国内知名FAB合作开发的600V-1350V IGBT产品系列,广泛应用于电机和消费类领域。在正向和阻断状态下,我们的IGBT功率损耗极低,仅需低驱动功率便可发挥高效率。
中微半导体IGBT产品具备国际领先的单芯片集成RC技术,更大的安全工作区(SOA),更强的抗冲击能力,更足额的耐压余量,极低的开关损耗,1000H HTGB/HTRB可靠性测试。产品非常适合用于新能源汽车、白色家电、电磁炉、马达驱动、UPS、焊机等新能源应用。IGBT产品系列击穿电压有足够的冗余,各种参数一致性高,短路电流能力出色。
CMS015G120T3PA 主要参数: 集电极-发射极电压VCE: 1200V 集电极电流: 15.A 饱和压降VCE SAT: 1.7V 封装: TO-252 产品特性:沟槽栅场截止工艺技术 、低饱和压降、10μs 短路能力、无铅引脚符合ROHS要求 应用领域: 电磁炉、微波炉、软开关应用 更多IGBT型号 CMS007G060DP3A TO-252 600V/7A CMS007G060T63A TO-263 600V/7A CMS007G060T63B TO-263 600V/7A CMS020G060T47A TO-247 600V/30A CMS030G060T47A TO-247 600V/40A CMSG50N60CA TO-247 600V/50A CMSG025R120CB TO-247 1200V/25A CMS040G120T47A TO-247 1200V/20A CMS015G135T47A TO-247 1350V/20A CMS025G135T3PB TO-3PN 1350V/25A
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