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星际金华，明佳达 供求 AIMBG120R010M1，AIMBG120R120M1 采用TO263-7封装的汽车MOSFET晶体管
概述：
用于汽车的1200V碳化硅mosfet系列是为混合动力汽车和电动汽车中目前和未来的车载充电器和DC-DC应用而开发。
该碳化硅mosfet采用最先进的SiC沟槽技术，结合.XT互连技术，专门设计用于满足汽车行业对可靠性、质量和性能的高要求。
独特的功能，如在1200V开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、内部换向证明体二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性，保证了无障碍设计和易于控制的应用设计。
紧凑的SMD外壳D2PAK(PG-TO263-7)使客户生产设施实现了高度自动化，并进一步降低了系统层面的成本。
特征描述：
革命性的半导体材料--碳化硅
非常低的开关损耗
无阈值的通态特性
0V的关断栅极电压
基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
完全可控的dv/dt
换向稳健的主体二极管，准备用于同步整流
与温度无关的关断开关损耗
用于优化开关性能的感测引脚
适用于HV爬电要求
XT互连技术可实现一流的热性能
优势：
效率提高
使得频率更高
提高功率密度
减少冷却工作量
降低系统复杂性和成本
潜在应用：
板载充电器
直流-直流转换器
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发表于 2022-12-13 14:32:13