静态存储器SRAM介绍

发布时间:2022-9-27 17:38    发布者:英尚微电子
关键词: SRAM
SRAM是采用CMOS工艺的内存。自CMOS发展早期以来,SRAM一直是开发和转移到任何新式CMOS工艺制造的技术驱动力。

SRAM它实际上是一个非常重要的存储器,用途非常广泛。SRAM数据完整性可以在快速读取和刷新时保持。SRAM以双稳态电路的形式存储数据。SRAM目前的电路结构非常复杂。SRAM大部分只用于CPU内部一级缓存及其内置二级缓存。只有少量的网站服务器及其路由器可以使用SRAM。



半导体存储体由多个基本存储电路组成,每个基本存储电路对应一个二进制数位。SRAM中的每一位均存储在四个晶体管中,形成两个交叉耦合反向器。存储单元有两个稳定状态,一般为0和1。此外,还需要两个访问晶体管来控制存储单元在读或写过程中的访问。因此,存储位通常需要六个MOSFET

SRAM内部包含的存储阵列可以理解为表格,数据填写在表格上。就像表格搜索一样,特定的线地址和列地址可以准确地找到目标单元格,这是SRAM存储器寻址的基本原理。这样的每个单元格都被称为存储单元,而这样的表也被称为存储矩阵。地址解码器将N个地址线转换为2个N立方电源线,每个电源线对应一行或一列存储单元,根据地址线找到特定的存储单元,完成地址搜索。如果存储阵列相对较大,地址线将分为行和列地址,或行,列重用同一地址总线,访问数据搜索地址,然后传输列地址。
本文地址:https://www.eechina.com/thread-802211-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

相关视频

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表