（54-VQFN封装）LMG3422R050RQZR [PMIC - 全、半桥驱动器] LMG3425R050RQZR

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LMG3422R050RQZR   具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET
LMG3425R050RQZR  具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET

规格：
输出配置：半桥
应用：通用
接口：PWM
负载类型：电感，电容性，电阻
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流 - 输出/通道：1.2A
电流 - 峰值输出：1.2A
电压 - 供电：7.5V ~ 18V
电压 - 负载：7.5V ~ 18V
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
特性：自举电路，闩锁功能，压摆率受控型
故障保护：过流，超温，UVLO
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：54-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：54-VQFN（12x12）

描述：
LMG342xR050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150 V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。 LMG3425R050 包含理想二极管模式，该模式通过启用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。

特征：
符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
带集成栅极驱动器的 600-V GaN-on-Si FET
集成高精度栅极偏置电压
200V/ns CMTI
3.6MHz 开关频率
20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
在 7.5V 至 18V 电源下工作
强大的保护
响应时间少于 100 ns 的逐周期过流和锁存短路保护
硬开关时可承受 720V 浪涌
针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
高级电源管理
数字温度 PWM 输出
理想二极管模式可减少 LMG3425R050 中的第三象限损耗

【供应/求购】（54-VQFN封装）LMG3422R050RQZR [PMIC - 全、半桥驱动器] LMG3425R050RQZR
深圳市明佳达电子，星际金华 长期供应及回收芯片：LMG3422R050RQZR，LMG3425R050RQZR。
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