器件 IMW120R040M1H / IMW120R040M1HXKSA1 采用TO247-3封装的1200V 40mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

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器件 IMW120R040M1H / IMW120R040M1HXKSA1 采用TO247-3封装的1200V 40mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET



型号：IMW120R040M1H / IMW120R040M1HXKSA1
封装：TO247-3
类型：CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET单管
说明：采用TO247-3封装的1200V 40mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET


描述：

IMW120R040M1H / IMW120R040M1HXKSA1 采用TO247-3封装的1200V 40mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。


规格：

FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：54.4 毫欧 @ 19.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：39 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1620 nF @ 25 V
功率耗散（最大值）：227W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3
封装/外壳：TO-247-3



特征：
出类拔萃的开关损耗和导通损耗
高阈值电压，Vth > 4 V
0V关断栅极电压，实现简单的栅极驱动
宽栅源电压范围
坚固的低损耗体二极管，适用于硬开关
关断损耗受温度影响小
.XT扩散焊技术，可实现一流的热性能



深圳市明佳达电子，星际金华公司，长期供应及回收：IMW120R040M1H / IMW120R040M1HXKSA1。
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