Netsol半导体4Mb异步快速SRAM-S6R4016W1A-UI10

发布时间:2022-8-9 17:15    发布者:英尚微电子
关键词: Netsol , 异步快速SRAM , S6R4016W1A-UI10 , SRAM
Netsol是一家位于韩国的无晶圆存储器半导体设计公司,成立于 2010 年。开发和销售具有高标准质量和可靠性的非商品存储器产品。目前的产品是异步快速 SRAM、低功耗 SRAM、同步 SRAM、四重/DDR SRAM 和 SLC NAND 闪存。主要客户群是工业、商业和通信,我们的高速、低延迟和低功耗内存设计技术得到认可。

S6R4016W1A-UI10是4,194,304位高速静态随机存取存储器SRAM,按16位组织为256K字。 最大快速访问时间10ns。使用16条公共输入和输出线,并具有一个输出使能引脚,该引脚的运行速度比读取周期中的地址访问时间快。而允许通过数据字节控制(UB、LB)来访问低字节和高字节。该器件采用先进的 CMOS 工艺、基于 6-TR 的单元技术制造,专为高速电路技术而设计。它特别适用于高密度高速系统应用。采用 400mil 44 引脚 TSOP2 封装。更多产品信息洽谈官方代理英尚微电子

快速异步型SRAM,存取时间为35ns(或更短)的异步型SRAM可被归类为“快速”异步型SRAM。这些存储器通常应用于老式系统中,且功耗较高。其典型应用包括老式PC L2高速缓冲存储器、高速暂存器以及工业应用中的缓冲存储器。


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