ISSI代理IS61WV204816ALL高速异步SRAM
发布时间：2021-3-9 17:11
发布者：宇芯电子
|
ISSI IS61WV204816ALL是高速，32M位静态RAM，组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的设备。 当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用芯片使能和OutputEnable输入，可以轻松扩展存储器。激活的LOWWriteEnable（WE＃）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB＃）和低字节（LB＃）。 IS61WV204816ALL采用JEDEC标准的48引脚TSOP（TYPEI）和48引脚微型BGA（6mmx8mm）封装。ISSI代理宇芯电子支持产品应用解决方案及例程等技术支持。 引脚配置  48针微型BGA（6mmx8mm） 48针TSOP，I型（12mmx20mm） IS61WV204816AL特征 •高速访问时间：10ns，12ns •高性能，低功耗CMOS工艺 •多个中心电源和接地引脚，可增强抗噪能力 •使用CS＃和OE＃轻松进行内存扩展 •TTL兼容的输入和输出 •单电源 –1.65V-2.2VVDD（IS61WV204816ALL） –2.4V-3.6VVDD（IS61WV204816BLL） •可用软件包： -48球迷你BGA（6mmx8mm） -48引脚TSOP（I型） •工业和汽车温度支持 •可用无铅 •数据控制的高低字节 功能说明 sram是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。SRAM支持三种不同的模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。 待机模式 取消选择时（CS＃高），设备进入待机模式。输入和输出引脚（I/O0-15）处于高阻抗状态。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。 写模式 所选芯片（CS＃）和写入使能（WE＃）输入为低电平时的写操作问题。输入和输出引脚（I/O0-15）处于数据输入模式。即使OE＃为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。UB＃和LB＃启用字节写入功能。通过使LB＃为低电平，来自I/O引脚（I/O0至I/O7）的数据被写入地址引脚上指定的位置。且UB＃为低电平时，来自I/O引脚（I/O8至I/O15）的数据被写入该位置。 读取模式 选择芯片时（CS＃为低电平），写使能（WE＃）输入为高电平时，读操作出现问题。当OE＃为LOW时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I/O引脚进行任何输入。UB＃和LB＃启用字节读取功能。通过启用LB＃LOW，来自内存的数据将出现在I/O0-7上。且UB＃为LOW时，来自内存的数据将出现在I/O8-15上。 在READ模式下，可以通过将OE＃拉高来关闭输出缓冲器。在这种模式下，内部设备作为READ进行操作，但I/O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。 上电初始化 该器件包括用于启动上电初始化过程的片上电压传感器。 当VDD达到稳定水平时，器件需要150us的tPU（上电时间）来完成其自初始化过程。 初始化完成后，设备即可正常运行。 
IS61-64WV204816ALL_BLL.pdf
(979.71 KB)
|
网友评论