x
x

电动工具应用32位MCU系列MM32SPIN160C

发布时间:2020-12-31 16:05    发布者:英尚微电子
关键词: MM32SPIN160C , 国产32位MCU
灵动微MM32SPIN160C采用高性能为内核为M0的32位微控制器,5V输出的LDO稳压器、三组具备有自举二极管的N通道半桥栅极驱动器。MCU的工作频率最高可达72兆赫兹,内置SRAM高速存储器,丰富的增强型I/O端口和外设连接到外部总线。MM32SPIN160C产品包含1个12位的ADC、1个比较器、1个16位通用定时器、1个32位通用定时器、3个16位基本定时器、1个16位高级定时器。还包含标准的通信接口:1个I2C接口、1个SPI接口和1个UART接口。MM32SPIN160C产品提供QFN32封装形式,该产品适合于三相永磁无刷电机和电动工具等多种应用场合。灵动微电子代理厂商可提供产品应用解决方案支持.

MM32SPIN160C特征
•内核与系统
–32位ARM®Cortex®-M0处理器内核
–最高工作频率可达72MHz
–单指令周期32位硬件乘法器
–硬件除法器(32Bit)
–单指令周期32位硬件乘法器
•存储器
–高达32K字节的闪存程序存储器
–高达4K字节的SRAM
•时钟、复位和电源管理
–2.0V~5.5V供电
–上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD)
–外部2~24MHz高速晶体振荡器
–内嵌经出厂调校的48/72MHz高速振荡器
–内嵌40KHz低速振荡器
•低功耗
–睡眠、停机和待机模式
• 5V LDO 稳压器
– 输入电压最高13.5V
• 三组N 型半桥式栅极驱动器(GATE-DRIVER)
– 三相栅极驱动器
– 支持电压UVLO 保护
– 1A/1A SINK/SOURCE 三相栅极驱动电流
• 96 位的芯片唯一ID(UID)
• 采用QFN32 封装

MM32SPIN160C引脚


内置的SRAM
内置最大可到4K字节的静态SRAM
它可以以字节(8位)、半字(16位)或字(32位)进行访问。SRAM起始地址为0x20000000。
•数据总线上最大可到2K字节的SRAM。可以被CPU或者DMA用最快的系统时钟且不
插入任何等待进行访问。

闪存主要特性
•高达32K字节闪存存储器
闪存接口的特性为:
•带预取缓冲器的数据接口(2×64位)
•选择字节加载器
•闪存编程/擦除操作
•访问/写保护
•低功耗模式

FLASH读操作
嵌入式Flash模块可以像普遍存储空间一样直接寻址访问。任何对Flash模块内容的读操作都须经过专门的判断过程。
取指令和取数据都是通过AHB总线读取访问,能够按照Flash访问控制寄存器(FLASH_ACR)中得选项所指定的方式执行:
•取指:预取值缓冲区使能后可提高CPU运行速度
•潜伏期:等待位的个数,保证正确的读取。



规格书下载
DS_MM32SPIN160C_qa_V1.01_SC.pdf (2.24 MB)
本文地址:https://www.eechina.com/thread-752727-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
英尚微电子 发表于 2020-12-31 16:06:25
FLASH读操作
嵌入式Flash模块可以像普遍存储空间一样直接寻址访问。任何对Flash模块内容的读操作都须经过专门的判断过程。
取指令和取数据都是通过AHB总线读取访问,能够按照Flash访问控制寄存器(FLASH_ACR)中得选项所指定的方式执行:
•取指:预取值缓冲区使能后可提高CPU运行速度
•潜伏期:等待位的个数,保证正确的读取。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

  • Microchip视频专区
  • AOE | 时钟与时序(3/7):什么是时钟相位?
  • AOE | 时钟与时序(5/7):什么是稳定性?
  • AOE | 时钟与时序(1/7):什么是时钟以及为什么我们需要优质时钟?
  • AOE | 时钟与时序(7/7):还有哪些重要计时参数?
  • 贸泽电子(Mouser)专区
关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表