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[供应] PW2309芯片P沟道增强型MOSFET

发表于 2020-12-5 14:10:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

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一般说明

PW2309采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。

特征

VDS=-60V，ID=-3A

RDS（开）<180mΩ@VGS=-10V

提供3针SOT23-3封装

应用

电池保护

负荷开关

不间断电源

代理商：深圳市夸克微科技

郑生： 13528458039

QQ ： 2867714804

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