串行SRAM和FRAM之间的相似之处
发布时间：2020-10-15 16:19
发布者：英尚微电子
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尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途，但是随着SPI等标准接口的出现，这些技术在功能上有很大的重叠。本篇文章宇芯电子详细介绍了SRAM和FRAM的共同属性，这为设计中替换串行SRAM提供了主要动力。 SRAM和FRAM之间的相似之处 SRAM和FRAM在许多设计中表现出许多相似的特性。串行SRAM和FRAM具有相似的存储密度，可以支持完全随机的读写访问，并且可以获得所有结果而没有额外的延迟。鉴于这两部分都具有使用SPI接口的实现，很明显，可以认为这些部分可以在大多数设计中互换使用。以下各节描述了这些技术的共同属性。 记忆容量 当今市场上可用的串行SRAM支持从64 Kbit到1 Mbit的容量。如今，FRAM设备的容量范围从4 Kbit到4 Mbit。此外，支持超低能耗的新版本FRAM将来将支持更高的容量，最高可达16 Mbit。 即时读取/写入随机访问 SRAM和FRAM均支持即时读取或写入操作。其他技术在读取和/或写入时可能会经历很长的延迟。此外，可以使用SRAM和FRAM访问完全随机的地址，而没有块大小的限制。 没有实现特定边界的SPI地址 SRAM和F-RAM均支持即时读取或写入操作。其他技术可能会经历较长的读取和/或写入延迟。 可以使用SRAM和F-RAM访问完全随机的地址，而没有块大小的限制。 SPI标准实施 SRAM和FRAM均支持SPI接口。串行SRAM产品以较低的密度支持SPI，并且以512 Kbit或更高的密度支持多位双SPI（DSPI）和四路SPI（QSPI）。目前，当前的FRAM部件仅支持SPI，而ULE FRAM器件则支持所有SRAM接口。所有这些实现都以某种形式的8引脚封装提供。 SRAM和FRAM技术的常用功能 在最高级别上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-从Kilobits到即时存储在内存中的少量兆位的随机存取存储器的容量。该存储器没有特殊配置或页面边界，并且支持标准SPI物理引脚排列。 |
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