FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗
发布时间：2020-10-9 14:05
发布者：宇芯电子
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FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表）频繁的记录数据而使写密集时。除了EEPROM中有功电流不足，EEPROM 还产生额外页编写延迟，这样导致器件在较长时间内保持活跃模式。它会使功耗增加。 使用以下的公式1和公式2计算出写入FRAM和EEPROM中所需的能量值。FRAM和EEPROM中的能耗在表1中进行比较，并显示在图1中。此比较演示了相对的能耗;使用EEPROM在长时间内保持活跃状态，因为它消耗的有功电流比FRAM的大两倍。  注意：在写/读操作中，一个典型3 V、256Kbit的SPI EEPROM消耗3 mA的有功电流。因此，需要写入128字节数据的SPI EEPROM的功耗会为144 μW（3 V x 3 mA x 16.024 ms）。  图1. 在数据写入EEPROM和FRAM过程中的能源消耗 计算能源实例: 根据公式1确定在写周期中FRAM消耗的能源: E1=VxI x t1 公式1 其中: V:工作电压 l:有功电流 t1:将数据写入FRAM中所需的总时间 根据公式2确定在写周期中EEPROM消耗的能源: E2=V x 3l x t2 公式2 其中: V:工作电压; l:有功电流（FRAM有功电流的3倍） t2:将数据写入EEPROM中所需的总时间 |
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