SI24R2E升级版SI24R2H内置125K低频唤醒2.4G单发芯片

发布时间：2020-7-17 15:52 发布者：13682622419

据以上抬头所述，相信大家都对这款有源RFID首款内置125KHz的这芯片很感兴趣，但是今天在介绍这款芯片前，需要大家先属于我司前两代的SI24R2E/SI24R2F芯片，因为SI24R2H是在原有的产品上做迭代升级而来
更新情况：
1.Si24R2H在Si24R2F的基础上增加了Si3933的125KHz低频唤醒功能。
2.烧录与Si24R2E一样，都是通过上位机直接配置，无需编程。
3.Si24R2H可以外接NTC热敏电阻采集温度，偏差值±0.5℃。
4.最大发射功率12dBm,睡眠电流300nA（2.4G部分）
5.小尺寸 5*5 QFN32封装
SI24R2H功能简述：
· 工作在 2.45GHz ISM 频段
· 内置多次可编程 NVM 存储器
· 具有超低功耗自动发射功能
· 自动发射模式下，支持多个不同信道发射
· 支持发射数据加密
· 支持按键发射功能
· 具有低电压自动报警功能
· 集成温度监测和报警功能
· 具有防拆卸报警功能
· 集成防冲突通信机制
· 3.3V 编程电压
· 调制方式：GFSK
· 数据速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps
· 超低关断电流：400nA
· 超低待机电流：22uA
· 快速启动时间： ≤ 130uS
· 宽电源电压范围：1.9-3.6V
· 宽数字 I/O 电压范围:1.9-5.25V
· 低成本晶振：16MHz±60ppm
· 最高发射功率：12dBm
· 发射电流: 16.8mA（0dBm)
· 最高 10MHz 四线 SPI 接口· 发射数据硬件中断输出
· QFN32封装
· 替换 Si24R1/Si24R2/Si24R2E 发射功能
对有源RFID学校领域局势有着重大的突破性的作用，有想进一步了解的可进一步联系博主

SI24R2E升级版SI24R2H内置125K低频唤醒2.4G单发芯片

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