上海灵动微电子一级代理MM32F003TW单片机低功耗

发布时间:2020-6-17 14:17    发布者:英尚微电子
关键词: MM32F003TW , 单片机低功耗 , SRAM
灵动微低功耗MM32F003TW产品使用高性能的内核ARM®Cortex®-M0的32位微控制器,其最高工作频率可达48MHz,内置高速存储器,丰富的增强型I/O端口和外设连接到外部总线。MM32F003TW系列工作电压为2.0V~5.5V,工作温度范围包含-40◦C~+85◦C常规型和-40◦C~+105◦C扩展型。多种省电工作模式保证低功耗应用的要求。MM32F003TW提供QFN20和TSSOP20共2种封装形式。使得微控制器适合于多种应用场合:电机驱动和应用控制,医疗和手持设备,PC游戏外设和GPS平台,工业应用:可编程控制器(PLC)、变频器、打印机和扫描仪,警报系统、视频对讲、和暖气通风空调系统等。此款灵动微MCU可完美替换意法半导体MCU型号STM8S003F3P6系列。灵动微代理商提供样品及开发板测试.

MM32F003TW引脚封装



MM32F003TW概述
•内核与系统
–32位ARM®Cortex®-M0处理器内核
–最高工作频率可达48MHz
–单指令周期32位硬件乘法器
•存储器
–高达16K字节的闪存程序存储器
–高达2K字节的SRAM
–Bootloader支持片内Flash
•时钟、复位和电源管理
–2.0V~5.5V供电
–上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD)
–外部2~24MHz高速晶体振荡器
–内嵌经出厂调校的48MHz高速振荡器
–内嵌40KHz低速振荡器
•低功耗
–睡眠、停机和待机模式
•1个12位模数转换器,1μS转换时间(多达8个输入通道)
–转换范围:0VDDA
–支持采样时间和分辨率配置
–片上温度传感器
–片上电压传感器
•5通道DMA控制器
–支持的外设:Timer、UART、I2C、SPI和ADC
•多达16个快速I/O端口:
–所有I/O口可以映像到16个外部中断
–所有端口均可输入输出5V信号
注:VDD=5V
•调试模式
–串行单线调试(SWD)
•多达9个定时器
–1个16位4通道高级控制定时器,有4通道PWM输出,以及死区生成和紧
急停止功能
–1个16位定时器和1个32位定时器,有高达4个输入捕获/输出比较,可用
于IR控制解码
–2个16位定时器,有1个输入捕获/输出比较和1个OCN,死区生成,紧急停
止,调制器门电路用于IR控制
–1个16位定时器,有1个输入捕获/输出比较
–2个看门狗定时器(独立的和窗口型的)
–1系统时间定时器:24位自减型计数器
•多达3个通信接口
–1个UART接口
–1个I2C接口
–1个SPI接口
•96位的芯片唯一ID(UID)
•采用QFN20和TSSOP20封装


ARM的Cortex-M0核心并内嵌闪存和SRAM
ARM®的Cortex®-M0处理器是最新一代的嵌入式ARM处理器,它为实现MCU的需要提供了低成本的平台、缩减的引脚数目、降低的系统功耗,同时提供卓越的计算性能和先进的中断系统响应。

ARM®的Cortex®-M0是32位的RISC处理器,提供额外的代码效率,在通常8和16位系统的存储空间上发挥了ARM内核的高性能。本产品拥有内置的ARM核心,因此它与所有的ARM工具和软件兼容。

内置闪存存储器
最大16K字节的内置闪存存储器,用于存放程序和数据。

内置SRAM
最大2K字节的内置SRAM。

低功耗模式
产品支持低功耗模式,可以在要求低功耗、短启动时间和多种唤醒事件之间达到最佳的平衡。

睡眠模式
在睡眠模式,只有CPU停止,所有外设处于工作状态并可在发生中断/事件时唤醒CPU。

停机模式
在保持SRAM和寄存器内容不丢失的情况下,停机模式可以达到最低的电能消耗。在停机模式下,HSI的振荡器和HSE晶体振荡器被关闭。可以通过任一配置成EXTI的信号把微控制器从停机模式中唤醒,EXTI信号可以是16个外部I/O口之一、PVD的输出的唤醒信号。

待机模式
待机模式可实现系统的最低功耗。该模式是在CPU深睡眠模式时关闭电压调节器。内部所有的1.5V部分的供电区域被断开。HSI和HSE振荡器也都关闭,可以通过WKUP引脚的上升沿、NRST引脚的外部复位、IWDG复位唤醒或者看门狗定时器唤醒不复位。SRAM和寄存器的内容将被丢失。



MM32F003.pdf (2.16 MB)
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英尚微电子 发表于 2020-6-17 14:17:37
MM32F003TW概述
•内核与系统
–32位ARM®Cortex®-M0处理器内核
–最高工作频率可达48MHz
–单指令周期32位硬件乘法器
•存储器
–高达16K字节的闪存程序存储器
–高达2K字节的SRAM
–Bootloader支持片内Flash
•时钟、复位和电源管理
–2.0V~5.5V供电
–上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD)
–外部2~24MHz高速晶体振荡器
–内嵌经出厂调校的48MHz高速振荡器
–内嵌40KHz低速振荡器
英尚微电子 发表于 2020-6-17 14:18:29
灵动微规格书

MM32F003.pdf

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