二极管的伏安特性解释

发布时间:2020-4-14 16:59    发布者:傲壹电子
伏安特性是指加在二 极 管两端的电 压u与流过=极管的电 流,之间的关系,即,I=f(U)。2CP12(普通型硅=极管)和2AP9(普通型锗二 极 管)的伏安特。


11.png

(1)正向特性
二 极 管伏妄特性曲线的第一象限称为正向特性,它表示外加正向电 压时二 极 管的工作情况。在正向特性的起始部分,由于正向电 压很小,外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用,正向电 流几乎为零,这一区域称为正向二 极 管的伏安特性曲线死区,对应的电 压称为死区电 压。硅管的死区电 压约为0.5V,锗管的死区电 压约为0. 2V.


当正向电 压超过某一数值后, 内电场就被大大削弱,正向电 流迅速增大,二  极 管导通,这一区域称为正向导通区。二 极 管一旦正向导通后,只要正向电 压稍有变化,就会使正向电 流变化较大,二 极 管的正向特性曲线很陡。因此,二 极 管正向导通时,管子上的正向压降不大,正向压降的变化很小,一般硅管为o. 7V左右,锗管为0. 3V左右。因此,在使用二 极 管时,如果外加电 压较大,一般要在电 路中串接限流 电 阻,以免产生过大电 流烧坏二 极 管。


(2)反向特性
二 极 管伏妄特性曲线的第三象限称为反向特性,它表示外加反向电 压时二 极 管的工作情况。在一定的反向电 压范围内,反向电 流很小且变化不大,这一区域称为反向截止区。这是因为反向电 流是少数载流子的漂移运动形成的;一定温度下,少子的数目是基本不变的,所以反向电 流基本恒定,与反向电 压的大小无关,故通常称其为反向饱和电 流。


(3)反向击穿特性
当反向电 压继续增加到某一数值时,二 极 管中的反向电 流会突然增大,我们称此时二 极 管发生了反向击穿,该段特性如图1.2.6的D段所示。发生反向击穿时PN结有很大的反向电 流,严重时将导致PN结损坏,所以普通二 极 管应该避免被击穿,但稳压二 极管则必须要 I作于击穿状态,因为在击穿区虽然电 流变化较大而电 压却能保持基本不变,正是利用这个特性,稳压管才能够起到稳压的作用。



图片1.png
本文地址:https://www.eechina.com/thread-584615-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

  • Microchip视频专区
  • 更佳设计的解决方案——Microchip模拟开发生态系统
  • 我们是Microchip
  • 利用模拟开发工具生态系统进行安全电路设计
  • 深度体验Microchip自动辅助驾驶应用方案——2025巡展开启报名!
  • 贸泽电子(Mouser)专区
关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表