锐迪科RDA5802N芯片采用中芯国际达55nm低漏电工艺平台

发布时间:2011-3-11 02:05    发布者:1770309616
关键词: 55纳米 , RDA5802N调频接收器 , 低漏电 , 射频IC
锐迪科微电子中国射频IC公司与中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”)日前共同宣布锐迪科RDA5802N调频接收器(RF Receiver)芯片,一个采用中芯国际的55纳米低漏电(LL)工艺平台以及寅通科技IP解决方案的产品已于日前开始量产。

       RDA5802N,一个中国领先的FOT(Foundry-Owned-Tooling)调频接收器产品,是由锐迪科、中芯国际与寅通科技协同努力的项目。锐迪科开发的创新产品设计整合了新一代的单芯片立体声广播调频接收器以及完全集成电子合成器,IF选择以及MPX解码器。锐迪科采用寅通科技的IP解决方案以及中芯国际先进的55纳米低漏电制程技术。此联合开发成功使该产品达到性能优化的里程碑,提供便携设备极其需要的介于高性能、低功耗之间完美的平衡。   

    “我们非常高兴能够与锐迪科和寅通科技合作。RDA5802N进入量产标志着在中国55nm调频接收器开发项目一个前所未有的突破,”中芯国际商务长兼资深副总裁季克非表示。“中芯国际标榜我们能够提供中国最先进的55纳米工艺技术和IP解决方案。锐迪科RDA5802N芯片的成功巩固了中芯国际作为中国的先进半导体代工厂的领导地位。我们有绝对的信心能为我们的客户带来更具可靠性,稳定性,和较低成本的世界一级解决方案。”   

     “我们很满意中芯在掌控这颗产品生产挑战的能力”,锐迪科的首席执行官戴保家表示。“作为在射频以及混合信号市场上的主要供应商,我们与中芯国际以及寅通科技三方的密切合作加速了的RDA5802N的开发,使我们能够以最先进的技术为我们的客户提供调频收音机接收器芯片。这是一个协作关系最好的例子,充分利用专业知识与经验相结合来推动新一代产品的面市。”
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