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　　产品来源：

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制造商	Advanced Semiconductor， Inc.
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	符合
晶体管类型	Bipolar Power
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	20
集电极—发射极最大电压 VCEO	18 V
发射极 - 基极电压 VEBO	4 V
集电极连续电流	4 A
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 200 C
安装风格	Screw Mount
封装 / 箱体	SOT-123
封装	Tray
工作频率	175 MHz
类型	RF Bipolar Power
商标	Advanced Semiconductor， Inc.
Pd-功率耗散	65 W
产品类型	RF Bipolar Transistors
子类别	Transistors