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[供应] 从电源芯片的内部设计,看各个功能是怎么实现的

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发表于 2019-6-6 10:11:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

  自然经常与各种芯片打交道,可能有的工程师对芯片的内部并不是很了解,不少同学在应用新的芯片时直接翻到Datasheet的应用页面,按照推荐设计搭建外围完事。如此一来即使应用没有问题,却也忽略了更多的技术细节,对于自身的技术成长并没有积累到更好的经验。今天以一颗DC/DC降压电 源 芯 片LM2675为例,尽量详细讲解下一颗芯片的内部设计原理和结构,IC行业的同学随便看看就好,欢迎指教!


  LM2675-5.0的典型应用电 路


  打开LM2675的DataSheet,首先看看框图


  这个图包含了电源芯片的内部全部单元模块,BUCK结构我们已经很理解了,这个芯片的主要功能是实现对MOS管的驱动,并通过FB脚检测输出状态来形成环路控制P W M驱动功率MOS管,实现稳压或者恒流输出。这是一个非同步模式电源,即续流器件为外部二 极 管,而不是内部MOS管。


  下面咱们一起来分析各个功能是怎么实现的


  一、基 准 电 压


  类似于板级电 路设计的基准电源,芯片内部基准电 压为芯片其他电 路提供稳定的参考电 压。这个基准电 压要求高精度、稳定性好、温漂小。芯片内部的参考电 压又被称为带隙基准电 压,因为这个电 压值和硅的带隙 电 压相近,因此被称为带隙基准。这个值为1.2V左右,如下图的一种结构:


  这里要回到课本讲公式,PN结的电 流和电 压公式:


  可以看出是指数关系,Is是反向饱和漏电 流(即PN结因为少子漂移造成的漏电 流)。这个电 流和PN结的面积成正比!即Is->S。


  如此就可以推导出Vbe=VT*ln(Ic/Is) !


  回到上图,由运放分析VX=VY,那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2,这样可得:I1=△Vbe/R1,而且因为M3和M4的栅极电 压相同,因此电 流I1=I2,所以推导出公式:I1=I2=VT*ln(N/R1) N是Q1 Q2的PN结面积之比!


  回到上图,由运放分析VX=VY,那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2,这样可得:I1=△Vbe/R1,而且因为M3和M4的栅极电 压相同,因此电 流I1=I2,所以推导出公式:I1=I2=VT*ln(N/R1) N是Q1 Q2的PN结面积之比!


  这样我们最后得到基准Vref=I2*R2+Vbe2,关键点:I1是正温度系数的,而Vbe是负温度系数的,再通过N值调节一下,可是实现很好的温度补偿!得到稳定的基准电 压。N一般业界按照8设计,要想实现零温度系 数,根据公式推算出Vref=Vbe2+17.2*VT,所以大概在1.2V左右的,目前在低压领域可以实现小于1V的基准,而且除了温度系数还有电源纹波抑制PSRR等问题,限于水平没法深入了。最后的简图就是这样,运放的设计当然也非常讲究:


  如 图 温 度 特  性 仿 真:


  二、振 荡 器 O S C 和 P W M
  我们知道开关电源的基本原理是利用P W M方波来驱动功率MOS管,那么自然需要产生振荡的模块,原理很简单,就是利用电 容的充放电形成锯齿波和比 较 器来生成占空比可调的方波。


  最后详细的电 路设计图是这样的:


  这里有个技术难点是在电 流模式下的斜坡补偿,针对的是占空比大于50%时为了稳定斜坡,额外增加了补偿斜坡,我也是粗浅了解,有兴趣同学可详细学习。


  三、误 差 放 大 器


  误 差 放 大 器的作用是为了保证输出恒流或者恒压,对反馈电 压进行采样处理。从而来调节驱动MOS管的P W M,如简图:


  四、驱 动 电 路


  最后的驱动部分结构很简单,就是很大面积的MOS管,电 流能力强。


  五、其 他 模 块 电 路


  这里的其他模块电 路是为了保证芯片能够正常和可靠的工作,虽然不是原理的核心,却实实在在的在芯片的设计中占据重要位置。


  具体说来有几种功能:


  1、启动模块


  启动模块的作用自然是来启动芯片工作的,因为上电瞬间有可能所有晶 体 管电 流为0并维持不变,这样没法工作。启动电 路的作用就是相当于“点个火”,然后再关闭。如图:


  上电瞬间,S3自然是打开的,然后S2打开可以打开M4 Q1等,就打开了M1 M2,右边恒流源电 路正常工作,S1也打开了,就把S2给关闭了,完成启动。如果没有S1 S2 S3,瞬间所有晶体管电 流 为0。


  2、过压保护模块OVP


  很好理解,输入电 压太高时,通过开关管来关断输出,避免损坏,通过比 较 器可以设置一个保护点。


  3、过温保护模块OTP


  温度保护是为了防止芯片异常高温损坏,原理比较简单,利用晶体管的温度特性然后通过比 较 器设置保护点来关断输出。


  4、过流保护模块OCP


  在譬如输出短路的情况下,通过检测输出电 流来反馈控制输出管的状态,可以关断或者限流。如图的电 流采样,利用晶体管的电 流和面积成正比来采样,一般采样管Q2的面积会是输出管面积的千分之一,然后通过 电 压 比 较 器来控制MOS管的驱动。


  还有一些其他辅助模块设计。


  六、恒流源和电 流镜


  在IC内部,如何来设置每一个晶体管的工作状态,就是通过偏置电 流,恒流源电 路 可以说是所有电 路的基石,带隙基准也是因此产生的,然后通过电 流镜来为每一个功能模块提供电 流,电 流镜就是通过晶体管的面积来设置需要的电 流大小,类似镜像。






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