一、输入部分损耗
1、脉冲电 流造成的共模电 感T的内阻损耗加大
适当设计共模电 感,包括线径和匝数
2、放电电 阻上的损耗
在符合安规的前提下加大放电电 阻的组织
3、热敏电 阻上的损耗
在符合其他指标的前提下减小热敏电 阻的阻值 
二、启动损耗
普通的启动方法,开 关 电 源启动后启动电 阻回路未切断,此损耗持续存在
改善方法:恒流启动方式启动,启动完成后关闭启动电 路降低损耗。

三、与 开 关 电 源 工 作 相 关 的 损 耗

四、钳 位 电 路 损 耗

有放电电 阻存在,mos开 关管每次开 关都会产生放电损耗
改善方法:用TVS钳位如下图,可免除电 阻放电损耗(注意:此处只能降低电 阻放电损耗,漏感能量引起的尖峰损耗是不能避免的)

当然最根本的改善办法是,降低变 压 器漏感。

五、供电绕组的损耗
电 源芯片是需要一定的电 流和电 压进行工作的,如果Vcc供电电 压越高损耗越大。
改善方法:由于IC内部消耗的电 流是不变的,在保证芯片能在安全工作电 压区间的前提下尽量降低Vcc供电电 压!

六、变 压 器 的 损 耗
由于待机时有效工作频率很低,并且一般限流点很小,磁通变化小,磁芯损耗很小,对待机影响不大,但绕组损耗是不可忽略的。
变 压 器绕组引起的损耗

绕组的层与层之间的分布电 容的充放电损耗(分布电 容 在开 关MOS管关断时充电,在开 关MOS管开通时放电引起的损耗。)
当测试mos管电 流波形时,刚开启的时候有个电 流尖峰主要由变 压 器分布电 容引起。

改善方法:在绕组层与层之间加绝缘胶带,来减少层间分布电 容。 
七、开 关 管 M O S F E T 上 的 损 耗
mos损耗包括:导通损耗,开 关损耗,驱动损耗。其中在待机状态下最大的损耗就是开 关损耗。
改善办法:降低开 关频率、使用变频芯片甚至跳频芯片(在空载或很轻负载的情况下芯片进入间歇式振荡)

八、整流管上的吸收损耗
输出整流管上的结电 容与整流管的吸收电 容在开 关状态下引起的尖峰电 流反射到原边回路上,引起的开 关损耗。另外还有吸收电 路上的电 阻充放电引起的损耗。
改善方法:在其他指标允许的前提下尽量降低吸收电 容的容值,降低吸收电 阻的阻值。
当然还有整流管上的开 关损耗、导通损耗和反向恢复损耗,这应该在允许的情况下尽量选择导通压降低和反向恢复时间短的二 极 管。


九、输 出 反 馈 电 路 的 损 耗

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