开关电源“待机功耗”如何解决？

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　　一、输入部分损耗
　　1、脉冲电 流造成的共模电 感T的内阻损耗加大
　　适当设计共模电 感，包括线径和匝数
　　2、放电电 阻上的损耗
　　在符合安规的前提下加大放电电 阻的组织
　　3、热敏电 阻上的损耗
　　在符合其他指标的前提下减小热敏电 阻的阻值

　　二、启动损耗
　　普通的启动方法，开 关 电 源启动后启动电 阻回路未切断，此损耗持续存在
　　改善方法：恒流启动方式启动，启动完成后关闭启动电 路降低损耗。

　　三、与 开 关 电 源 工 作 相 关 的 损 耗

　　四、钳 位 电 路 损 耗

　　有放电电 阻存在，mos开 关管每次开 关都会产生放电损耗

　　改善方法：用TVS钳位如下图，可免除电 阻放电损耗（注意：此处只能降低电 阻放电损耗，漏感能量引起的尖峰损耗是不能避免的）

　　当然最根本的改善办法是，降低变 压 器漏感。

　　五、供电绕组的损耗
　　电 源芯片是需要一定的电 流和电 压进行工作的，如果Vcc供电电 压越高损耗越大。

　　改善方法：由于IC内部消耗的电 流是不变的，在保证芯片能在安全工作电 压区间的前提下尽量降低Vcc供电电 压！

　　六、变 压 器 的 损 耗
　　由于待机时有效工作频率很低，并且一般限流点很小，磁通变化小，磁芯损耗很小，对待机影响不大，但绕组损耗是不可忽略的。

　　变 压 器绕组引起的损耗

　　绕组的层与层之间的分布电 容的充放电损耗(分布电 容 在开 关MOS管关断时充电，在开 关MOS管开通时放电引起的损耗。）

　　当测试mos管电 流波形时，刚开启的时候有个电 流尖峰主要由变 压 器分布电 容引起。

　　改善方法:在绕组层与层之间加绝缘胶带，来减少层间分布电 容。

　　七、开 关 管 M O S F E T 上 的 损 耗
　　mos损耗包括：导通损耗，开 关损耗，驱动损耗。其中在待机状态下最大的损耗就是开 关损耗。

　　改善办法：降低开 关频率、使用变频芯片甚至跳频芯片（在空载或很轻负载的情况下芯片进入间歇式振荡）

　　八、整流管上的吸收损耗
　　输出整流管上的结电 容与整流管的吸收电 容在开 关状态下引起的尖峰电 流反射到原边回路上，引起的开 关损耗。另外还有吸收电 路上的电 阻充放电引起的损耗。

　　改善方法：在其他指标允许的前提下尽量降低吸收电 容的容值，降低吸收电 阻的阻值。

　　当然还有整流管上的开 关损耗、导通损耗和反向恢复损耗，这应该在允许的情况下尽量选择导通压降低和反向恢复时间短的二 极 管。

　　九、输 出 反 馈 电 路 的 损 耗

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