UBM最新拆解显示手机已开始采用PCM非易失性相变内存
发布时间：2010-12-8 09:59
发布者：李宽
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非易失性相变内存(phase-change memory，PCM)已经悄悄现身在手机产品中？根据工程顾问机构UBM TechInsights的一份拆解分析报告，发现在某款神秘手机中，有一颗由三星电子(Samsung Electronics)出品的多芯片封装(multi-chip package，MCP)内存，内含与NOR闪存兼容的非易失性相变内存芯片。 TechInsights 拆解的手机产品，基于客户机密不透露型号与厂牌；该机构表示，要等到与客户之间的工作告一段落，才能公布该手机到底是哪一款。三星曾于4月时透露，该公司将在第二季出货一款内含512Mbit非易失性相变内存芯片的MCP；当时三星并未透露该产品将采用哪种制程技术，仅表示该产品“相当于40纳米NOR闪存。” 业界认为三星将采用65纳米至60纳米制程生产上述内存；而拆解分析报告以显微镜所量测出的半间距(half-pitch)内存长度(如下图)，是每微米(micron)8个记忆单元(cell)，就证实了以上的猜测。 
三星512Mbit相变化RAM的横切面 现在已经被美光(Mciron)合并的恒忆(Numonyx)，在2008年发表了一款90纳米制程128Mbit非易失性相变内存，并在2010年4月以Omneo系列串行/并列存取内存问世；但是到目前为止，该公司都未透露任何有关该产品的设计案或是量产计划。此外恒忆也开发了一款45纳米制程的1Gbit非易失性相变内存，但这款原本预期今年上市的产品，迄今也未有后续消息。 UBM TechInsights已经确认，三星的512Mbit相变化RAM(PRAM)芯片，商标号码为KPS1N15EZA，与一颗128Mbit UtRAM芯片以MCP形式封装在一起，并应用于手机产品中。该款三星的PRAM芯片由4层铝互连层与内存元素所组成，顶部与底部的电极 (electrode contacts)是装置在铝金属与硅基板之间。 
内含PCM的MCP内存外观 “最近业界对非易失性相变内存技术的微缩极限有争议，再加上恒忆的产品延迟量产，让人质疑PRAM是否真能接班成为新一代内存；”UBM TechInsights资深顾问Young Choi表示：“对非易失性相变内存已经应用在手机的发现，清楚表明了产品设计工程师已经开始使用这种具潜力的技术。” 
包含非易失性相变内存MCP的手机主板拆解图 |
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