Xilinx FPGA入门连载49:FPGA片内RAM实例之功能仿真

发布时间:2016-1-25 12:29    发布者:rousong1989
Xilinx FPGA入门连载49FPGA片内RAM实例之功能仿真
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1.jpg
1 Xilinx库设置
         打开文件夹sp6ex18下的ISE工程。
如图所示,切换到“Design à Simulation”界面。鼠标选中“vtf_sp6.v”文件。
2.jpg
         此时,在“Processer:vtf_sp6”下,选择“SimulateBehavioral Model”,然后点击鼠标右键,弹出菜单中选择“ProcessProperties…”。
3.jpg
         如图所示,确认设置好在安装Modelsim过程中编译好的ISELibrary路径。设定完成后点击“OK”回到ISE主界面。
4.jpg
2 功能仿真
         如图所示,双击“Simulate Behavioral Model”开始仿真。
5.jpg
         接着,Modelsim中我们可以查看读RAM的波形。
6(1).jpg 6(2).jpg
         RAM操作的规则大体可以归纳如下:
●  写使能信号ram_wren拉高时,当前的地址Ram_addr和写入数据ram_wrdb有效,即ram_addr地址的写入数据ram_wrdb,如波形中往01地址写入数据56、往02地址写入数据57……。
●  无论当前的写使能信号ram_wren是否有效,地址ram_addr对应的数据总是在下一个时钟周期出现在读数据总线ram_rddb上,如波形中01地址对应的数据56、02地址对应的数据57……。

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