宜普电源转换公司将为业界设定性能基准的新一代氮化镓

宜普电源转换公司将于中国大陆两个业界研讨会讨论关于最新一代氮化镓(eGaN)技术,分别为第三届世界无线供电行业峰会及第十九届IIC China功率管理及功率半导体研讨会。
EL SEGUNDO, Calif. -- (BUSINESS WIRE) -- (美国商业资讯)--硅基增强型功率氮化镓（(eGaN®)场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司将于两个业界研讨会以应用为主题发表演讲。
于中国上海举行的第三届世界无线供电行业峰会
宜普公司的专家将展示由于氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）具备优越特性如具有低输出电容、低输入电容、低寄生电感及小尺寸，因此作为高度谐振并符合Rezence（A4WP）标准的无线电源传送系统的理想器件，它可以提高该应用的效率。我们对采用MOSFET及氮化镓场效应晶体管的转换器在峰值功率、负载变化及负载调制性能等各方面进行比较。
基于氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）并采用全新零电压开关D类放大器拓扑的无线电源传送应用
讲者： 宜普电源转换公司应用工程副总裁Johan Strydom博士
日期／时间：　2014年8月26日星期二下午4时30分至5时10分
于中国深圳举行的第十九届IIC China功率管理及功率半导体研讨会
最新一代氮化镓场效应晶体管为业界提高电源转换的性能基准。由于全新第四代氮化镓器件系列在主要开关品质因数方面取得重大增益，因此在性能上可进一步抛离日益陈旧的功率MOSFET器件。我们将展示的应用范例包括取得93.5%效率的12 V转至1.2 V、50 A的负载点（POL）转换器， 以及取得超过98% 效率的48 V转至12 V、30 A的非隔离型直流-直流中间总线转换器。
“电源管理及功率半导体：第四代氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)”讲者： 宜普电源转换公司亚太区FAE总监郑正一日期／时间：　 2014年9月4日星期二下午3时40分至4时20分