芯片解密后芯片失效如何分析？

星光电子

芯片解密常见问题解答—芯片解密后失效分析的主要流程:

1、接受客户不良品信息反馈及分析请求，并了解客户相关信息。(指失效模式，参数值，客户抱怨内容，型号，批号，失效率，所占比例等，与正常品相比不同之处)

2、记录各项信息内容，以在长期记录中形成信息库，为今后的分析工作提供经验值。

3、收集工艺信息，包括与此产品有关的生产过程中的人，机，料，法，环变动的情况(老员工，新员工，班次，人员当时的工作状态，机台状况，工夹具，所采用的原材料，工艺参数的变动，环境温湿度的变动等)。

通常有：装片机号，球焊机号，包封机号，后固化烘箱号，去飞边机号，软化线号，是否二次软化，测试机台，测试参数，料饼品种型号，引线条供应者及批号，金丝品种及型号，供应者等。

4、失效确认，可用测试机检测功能、开短路，以确认客户反映情况是否属实。

5、对于非开短路情况，如对于漏电流大的产品要彻底清洗(用冷热纯水或有机溶剂如丙酮)后再进行下述烘烤试验：125度烘烤24小时或175度烘烤4小时以上，烘箱关电源后门打开45度角缓慢冷却1小时后再测其功能，如功能变好，则极有可能是封装或者测试问题，对封装工艺要严查。

6、对于开短路情况，观察开短路测试值是开路还是短路，还是芯片不良，如是开路或短路，则要注意是第几脚开路或短路，待开帽后用万用表测量该脚所连的金丝的压区与脚之间的电阻，以判断该脚球焊是否虚焊。

7、对于大芯片薄形封装产品要注意所用材料(如料饼，导电胶)是否确当，产品失效是否与应力和湿气有关(125度烘烤24小时或175度烘烤4小时以上，烘箱关电源后，门打开45度角缓慢冷却1小时后再测其功能，如功能变好，则极有可能是封装或者测试的问题，对封装工艺要严查，如检查去飞边方式，浸酸时间等。)

8、80倍以上显微镜观察产品外形特征，特别是树脂休是否有破裂，裂缝，鼓泡膨胀。(注胶口，脚与脚之间树脂体和导电物)

9、对所有失效样品进行X-RAY检查，观察金丝情况，并和布线图相比较，以判断布线是否错误。如发现错误要加抽产品确认失效总数并及时反映相关信息给责任人。

10、C-SAM即SAT，观察产品芯片分层情况。判断规范另见。样品数量为10只以内/批。

11、开帽：对于漏电流大的产品采用机械方式即干开帽形式，其它情况用强酸即湿开帽形式。切开剖面观察金丝情况，及金球情况，表面铝线是否受伤，芯片是否有裂缝，光刻是否不良,是否中测，芯片名是否与布线图芯片名相符。样品数量为5只/批。对于开短路和用不导电胶装片的产品要用万用表检测芯片地线和基岛之间电阻检查装片是否有问题。对于密间距产品要测量铝线宽度，确认所用材料(料饼，导电胶，金丝)是否确当开帽后应该再测试，根据结果进一步分析。

12、腐球：观察压区硅层是否破裂，严重氧化(用王水或氢氧化钠或氢氧化钾)，腐球时注意要腐透(金丝彻底脱离芯片或溶化掉)，不能用细针去硬拨金丝以免造成人为压区损坏。

13、开帽时勿碰坏金丝及芯片，对于同一客户，同型号，同扩散批，同样类型的失效产品涉及3个组装批的，任抽一批最后对开帽产品进行测试看是否会变好。以确认是否是封装问题。

14、对开帽后漏电流偏大的可以使用微光显微镜检查。

15、对开帽后的芯片最好用SEM仔细检查有无如微小缺陷、氧化层穿孔等缺点。

16、失效分析主要依照：EOS、ESD、封装缺陷、芯片缺陷、CMOS闩锁、设计缺陷、可靠性(如水汽进入、沾污等)展开。

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