汽车电子文章列表

三种实时控制方式促进城市可持续发展

三种实时控制方式促进城市可持续发展

作者:Matt Watson 从电动汽车充电站到太阳能解决方案,通过实时控制等先进技术,城市正在变得更加高效 去年,一项探讨已久的议题在上海付诸实践:电动汽车 (EV) 是否可以成为城市电网的 ...
2021年05月24日 14:42   |  
实时控制   汽车充电  
电动车辆的电池管理系统和使用寿命

电动车辆的电池管理系统和使用寿命

作者:ADI公司 在世界各地纵横交错的高速公路上,正在发生一场变革 —— 百年来使用化石燃料的汽车正转变为清洁、高效的电动车辆 (EV)。未来十年,EV 市场预计将增长 10 倍,而为了给数以百 ...
2021年05月21日 15:16   |  
电池管理  

Cyprss代理串行铁电存储器64Kbit FM25CL64B-GTR

FM25CL64B-GTR是串行FRAM存储器。存储器阵列在逻辑上组织为8,192×8位,可使用行业标准的串行外围设备接口(SPI)总线进行访问。FRAM的功能操作类似于串行闪存和串行EEPROM。FM25CL64B-GTR与具 ...
2021年05月19日 16:17   |  
Cyprss代理   串行FRAM   铁电存储器   FM25CL64B-GTR  
动力总成系统集成化推动电动汽车进一步高效、可靠、轻量化

动力总成系统集成化推动电动汽车进一步高效、可靠、轻量化

通过将动力总成系统集成到紧凑的机械外壳中,可实现更实用、更高效的电动汽车 (EV) 作者:德州仪器 在德州仪器 (TI) 努力改进电动汽车动力总成架构后,我们的客户可以将系统设计成本削减 ...
2021年05月18日 15:27   |  
电动汽车   动力总成  

赛普拉斯FRAM非易失性存储器FM33256B-G

FM33256B-G器件将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存储器,实时时钟,低VDD复位,看门狗定时器,非易失性事件计数器,可锁定的64位序列号区域以及可 ...
2021年05月17日 16:40   |  
赛普拉斯   FRAM   非易失性存储器   FM33256B-G  

赛普拉斯代理4Mbit串行SPI铁电存储器CY15B104Q-LHXI

赛普拉斯型号CY15B104Q-LHXI主要采用先进铁电工艺的4Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的,并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留,同时消除 ...
2021年05月14日 16:09   |  
赛普拉斯   铁电存储器   CY15B104Q-LHXI  
用于车辆跟踪系统的集成电源解决方案

用于车辆跟踪系统的集成电源解决方案

Integrated Power Supply Solution for Vehicle Tracking System 作者:ADI公司 | Celso Aron、Dominic Clavillas、Jardine Penaflor 简介 车辆跟踪系统(VTS)通常安装在汽车和卡车 ...
2021年05月13日 18:43   |  
车辆跟踪   VTS   DC-DC  

​低功耗SRAM存储器EMI501NL16LM-55I完美替换IS63WV1288DBLL-10JLI

ISSI IS63WV1288DBLL-10JLI是一种非常高速且低功耗的128X8位CMOS静态SRAM。该产品使用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合,可产生更高性能和更低功耗的设 ...
2021年05月12日 15:02   |  
SRAM存储器   EMI501NL16LM  
一文读懂:“新四化”趋势下的汽车网关的大变局!

一文读懂:“新四化”趋势下的汽车网关的大变局!

前言 汽车“新四化”(电动化、智能化、网联化、共享化)的快速推进,对半导体行业是重大利好,越来越多的电子系统为汽车行业贡献了近90%的创新和新功能。从产业规模上看,全球汽车半导体市 ...
2021年05月10日 15:18   |  
汽车网关   汽车电子  

常见问题1——IIC接口类加密芯片调试注意事项

1.IIC接口是否需要加上拉电阻?IIC总线协议中已经明确指出总线上的从器件要使用开漏模式接入,总线上要外加上拉电阻。上拉电阻建议选用10K大小。2. 芯片RST引脚悬空是否可以?RST引脚的作用是当 ...
2021年05月10日 09:37   |  
加密芯片   数据加密  

FRAM性能比EEPROM好的三个优势

FRAM的学术名字叫做FERAM,利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,其的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在 如EEPROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有 ...
2021年04月30日 16:46   |  
FRAM   EEPROM   富士通   非易失性存储器  

国产SRAM芯片EMI502NL16VM可替换IS61WV12816EDBLL

EMI502NL16VM系列由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。这些系列支持工业温度范围和芯片级封装,以使用户灵活地进行系统设计。该系列还支持低数据保持电压,以低数据保持电流实现电池备份操作。此款 ...
2021年04月23日 16:43   |  
国产SRAM芯片   EMI502NL16VM   IS61WV12816EDBLL  

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