返回列表 发新帖
查看: 1846|回复: 0

SI2323CDS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

[复制链接]
VBsemi
发表于 2023-11-24 16:19:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
贸泽电子有奖问答视频，回答正确发放10元微信红包
关键词： SI2323CDS-T1-GE3 , MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi
SI2323CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。
应用简介：SI2323CDS-T1-GE3适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。
其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。
适用领域与模块：适用于电源开关、稳压和逆变器等领域模块，特别适合要求低功率损耗的场景。


VB2355.png

SI2323CDS-T1-GE3.pdf

296.06 KB, 下载积分: 积分 -1

相关文章
回复

举报

返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表