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SI2323CDS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析

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发表于 2023-11-24 16:19:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: SI2323CDS-T1-GE3 , MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi
SI2323CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。
应用简介:SI2323CDS-T1-GE3适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET
其低导通电阻有助于降低功率损耗,提高效率。
适用领域与模块:适用于电源开关、稳压和逆变器等领域模块,特别适合要求低功率损耗的场景。


VB2355.png

SI2323CDS-T1-GE3.pdf

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