泛林集团推出全球首型钼原子层沉积设备ALTUS Halo并已获早期应用
发布时间：2025-2-21 16:19
发布者：eechina
|
美国当地时间2月19日，半导体设备巨头泛林集团（Lam Research）正式宣布推出全球首台钼（Mo）原子层沉积（ALD）设备——ALTUS Halo。这一创新设备已在逻辑半导体和3D NAND领域获得早期采用，标志着半导体制造技术的又一重大突破。 ALTUS Halo是泛林集团基于其在原子层沉积领域深厚的专业知识和技术积累，专为满足先进半导体器件制造需求而设计的一款革命性设备。该设备利用钼的独特性质，为半导体器件提供了卓越的特征填充和低电阻率、无空隙的金属化沉积，从而大幅提升了芯片的性能和可靠性。 据泛林集团介绍，ALTUS Halo代表了半导体金属化新时代的转折点。随着下一代应用的性能要求不断提高，对更先进半导体和新制造工艺的需求也在增加。ALTUS Halo的推出，为未来人工智能、云计算和下一代智能设备的高级存储器和逻辑芯片的扩展铺平了道路。 在逻辑半导体领域，ALTUS Halo的高精度沉积技术使得芯片制造商能够实现更复杂的电路设计和更高的集成度，从而提升了芯片的处理速度和能效。而在3D NAND领域，ALTUS Halo的卓越填充能力和低电阻率特性则使得存储芯片的容量和性能得到了显著提升。 泛林集团高级副总裁兼全球产品集团总经理Sesha Varadarajan表示：“基于泛林集团深厚的金属化专业知识，ALTUS Halo是20多年来原子层沉积领域最重大的突破。它将泛林的四站模块架构和ALD技术的新进展结合在一起，为大批量生产提供了工程化的低电阻率钼沉积，这是新兴的、未来的芯片变化（包括千层3D NAND、4F2 DRAM、先进GAA逻辑电路）的关键要求。” 据悉，ALTUS Halo已在多家领先的芯片制造商处进行了资格认证和爬坡，并获得了积极反馈。这些制造商表示，ALTUS Halo的引入将显著提升他们的生产效率和产品质量，为他们在激烈的市场竞争中赢得更多优势。 |
网友评论