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明佳达，星际金华 供求LT6654AIS6-5驱动器，ATMEGA32U4-MU微控制器，IPBE65R115CFD7A晶体管 LT6654AIS6-5 电源高输出驱动 IC SOT-23-6 低噪声 产品描述 LT6654AIS6-5 是一个小型精密电压基准系列，具有高精度、低噪声、低漂移、低压差和低功耗等特性。 LT6654AIS6-5 的工作电压高达 36V，工作温度范围为 -55°C 至 125°C。缓冲输出可确保 ±10mA 的输出驱动、低输出阻抗和精确的负载调节。 特点 低噪声：1.6ppmP-P（0.1Hz 至 10Hz） 宽电源范围至 36V 低热滞后： LS8 15ppm（-40°C 至 125°C） 长期漂移：(LS8) 15ppm/√kHr 线路调节（最高 36V）： 最大 5ppm/V 低压差：最大 100mV 汇和源 ±10mA 10mA 时的负载调节：最大 8ppm/mA 完全符合 -55°C 至 125°C 规范 可用输出电压选项： 1.25V、2.048V、2.5V、3V、3.3V、4.096V、5V 16MHz 集成电路芯片 ATMEGA32U4-MU 8 位微控制器芯片 44VQFN IC 芯片 产品描述 ATMEGA32U4-MU 是一款基于 AVR 增强型 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在单时钟周期内执行功能强大的指令，该器件的吞吐量接近 1 MIPS/MHz，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。 功能特点 高性能、低功耗 AVR® 8 位微控制器 先进的 RISC 架构 135 种功能强大的指令 - 最多可在单时钟周期内执行 32 x 8 通用工作寄存器 完全静态运行 16MHz 时吞吐量高达 16 MIPS 片上 2 周期乘法器 非易失性程序和数据存储器 16/32KB 系统内可自动编程闪存 1.25/2.5KB 内部 SRAM 512 字节/1KB 内部 EEPROM 写入/擦除周期 10,000 闪存/100,000 EEPROM N 沟道 MOSFET 晶体管 IPBE65R115CFD7A 集成电路芯片 650V TO-263-8 产品描述 IPBE65R115CFD7A 650V N 沟道 MOSFET 晶体管，封装为 TO-263-8（表面贴装）。 特性 采用市场上最新的 650V 汽车级技术，集成快速体二极管，具有超低 Qrr 提供开尔文源触点 开关损耗更低，开关频率更高 高质量和高可靠性 开尔文源带来先进的可控性
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发表于 2024-3-6 10:20:50