明佳达，星际金华供求 AFGHL40T65SQ，AFGHL40T65SQD，AFGHL50T65RQDN 单 IGBT 晶体管 28ns AFGHL40T65SQ 单通道 IGBT 晶体管 TO-247-3 通孔 238W 沟槽场阻 产品描述 AFGHL40T65SQ 28ns 单 IGBT 晶体管，封装为 TO-247-3、通孔、238W 沟道场截止。TC = 100°C 时的最大功率耗散为 119W。 特性 TC = 25°C 时的最大功率耗散： 238W TC = 100°C 时的最大功率耗散： 119W 工作结点/存储温度范围：-55°C ~ 175°C (TJ) 二极管正向电流 @ TC < 100°C： 20A 汽车芯片 AFGHL40T65SQD 场截止沟槽式 IGBT 40A 单 IGBT 晶体管 产品描述 AFGHL40T65SQD 场截止沟槽式 IGBT 40A 单 IGBT 晶体管，最高结温 TJ = 175°C。 特性 栅极至发射极电压：±20V 瞬态栅极至发射极电压：±30V 集电极电流 @ TC = 25°C： 80A 集电极电流 @ TC = 100°C： 40A 脉冲集电极电流：160A 汽车芯片 AFGHL50T65RQDN IGBT 沟道场截止晶体管 268W TO-247-3 产品描述 AFGHL50T65RQDN 是独立型 IGBT、50A、650V 场截止沟槽式 IGBT 晶体管。包装为 TO-247-3（通孔）。
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发表于 2024-2-21 10:56:50