查看: 908|回复: 0

2SJ327-Z-E1-AZ-VB一款TO252封装 MOSFET参数应用解析

[复制链接]
发表于 2023-10-16 14:19:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: MOS管 , MOS , vbsemi , mosfet , 2SJ327-Z-E1-AZ
2SJ327-Z-E1-AZ( VBE2610N)
参数描述:
P沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V);TO252

型号参数介绍:
2SJ327-Z-E1-AZ (VBE2610N)参数说明:P沟道,-60V,-38A,导通电阻61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.3V,封装:TO252。
应用简介:2SJ327-Z-E1-AZ是一款适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET
由于其能够处理较大的电流和电压,常用于电源管理、电机控制和逆变器等领域模块。


VBE2610N.png

2SJ327-Z-E1-AZ.pdf

263.7 KB, 下载积分: 积分 -1

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表