|
深圳市明佳达电子,星际金华(供应及回收)原装库存器件!
【供应,求购】晶体管:IPD60R145CFD7,IPD30N12S3L31,IPD220N06L3G,IPL60R125P7。
【供应】只做原装,库存器件,价格方面由于浮动不一,请以当天询问为准!
【回收】只需原装器件,须有原厂外包装标签,有库存的朋友,欢迎随时联络我们!
IPD60R145CFD7:表面贴装型 N通道晶体管 600V DPAK(TO-252)
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A(Tc)
功率耗散(最大值):83W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DPAK(TO-252)
封装/外壳:TO-252-4,DPak(3 引线 + 接片)
IPD30N12S3L31:表面贴装型 N通道晶体管 120V PG-TO252-3-11
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tc)
功率耗散(最大值):57W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TO252-3-11
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IPD220N06L3G:表面贴装型 N通道晶体管 60V PG-TO252-3-311
ET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tc)
功率耗散(最大值):36W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TO252-3-311
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
IPL60R125P7:表面贴装型 N通道晶体管 600V PG-VSON-4
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A(Tc)
功率耗散(最大值):111W(Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-VSON-4
封装/外壳:4-PowerTSFN
|
|