|
|
一、MT25QU128ABA1ESE-0SIT：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mbit SPI 133 MHz
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：128Mbit
存储器组织：16M x 8
存储器接口：SPI
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：8ms, 2.8ms
电压 - 供电：1.7V ~ 2V
工作温度：-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC (0.209", 5.30mm 宽)
二、MT25QU01GBBB8ESF-0AAT：FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb（128M x 8） SPI 133 MHz
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 1Gb（128M x 8）
存储器接口 SPI
时钟频率 133 MHz
写周期时间 - 字，页 8ms，2.8ms
电压 - 供电 1.7V ~ 2V
工作温度 -40°C ~ 105°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
三、STM32G031J6M6：微控制器IC 32位单核64MHz 32KB (32K x 8) 闪存
型号：STM32G031J6M6
封装：8-SOIC
类型：嵌入式 - 微控制器
内核：Arm® 32位Cortex®-M0+ CPU，频率高达64 MHz。
高达64KB的Flash存储器，带有保护和安全区域
8KB的SRAM，带HW奇偶校验
CRC计算单元
复位和电源管理
4至48兆赫晶体振荡器
带校准的32千赫晶体振荡器
内部16MHz RC，带PLL选项
电压范围： 1.7 V至3.6 V
低功耗模式： 睡眠、停止、待机、关机
多达44个快速I/O
全部可映射到外部中断向量上
多个5V耐受I/O
具有灵活映射的5通道DMA控制器
四、STM32G031F6P6：微控制器 IC 32 位单核 64MHz 32KB 闪存 20-TSSOP
核心处理器：ARM® Cortex®-M0+
内核规格：32 位单核
速度：64MHz
连接能力：I2C，IrDA，LINbus，SPI，SmartCard，UART/USART
外设：欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT
I/O 数：18
程序存储容量：32KB（32K x 8）
程序存储器类型：闪存
RAM 大小：8K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 17x12b SAR
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：20-TSSOP
深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
（元器件）MT25QU128ABA1ESE-0SIT，MT25QU01GBBB8ESF-0AAT，STM32G031J6M6，STM32G031F6P6（供求）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！
|
|
发表于 2023-7-13 10:41:17