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Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介绍

开始时间:2015-11-04 10:00:00

研讨会介绍

传统硅材料在开关电源系统上已经发展了几十年,就目前来讲硅材料的发展空间很有限了,GaN材料在LED以及RF上面被世人了解,不过目前已经发展进入了功率器件的应用领域因为GaN适合高频高压的场合。作为下一代功率器件GaN HEMT已经做好了替代 Si MOSFET的一切准备,其强劲的性能主要表现在超好的技术参数RDSON,QG,QRR等一系列影响到功率器件性能的关键参数。GaN HEMT用在开关电源系统上面可以显著的提高系统的开关效率,在硬开关下面提高开关频率使得系统体积更小,从而更显著的提高其功率密度。Transphorm这家公司专注于GaN的研究已经接近十年,公司成立于美国的加州Goleta,员工超过130人,专利超过250个,而且是目前唯一一个通过JEDEC认证的GaN的企业,FUJITSU目前与Transphorm合作为客户提供GaN HEMT的技术支持及产品。

演讲人介绍

孙国伟
孙国伟(FAE),从事半导体行业多年,拥有丰富的行业技术经验,主要方向电源管理芯片及功率器件的应用。加入富士通半导体之后,从事电源管理芯片以及功率器件的技术支持工作。

公司介绍

富士通半导体(上海)有限公司是富士通在中国的半导体业务总部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大连等地均设有分公司,负责统筹富士通在中国半导体的销售业务。富士通半导体(上海)有限公司的主要销售产品包括 Custom SoCs (ASICs), 代工服务,专用标准产品(ASSPs),铁电随机存储器,继电器和GaN(氮化镓)等,它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户,并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。更多详情请浏览网站:http://www.fujitsu.com/cn/products/devices/semiconductor/

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