当前位置:在线研讨会 > 问答精选 > Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介绍

Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介绍    观看会议

时间:2015-11-04 10:00:00
该研讨会暂无问答

研讨会介绍

传统硅材料在开关电源系统上已经发展了几十年,就目前来讲硅材料的发展空间很有限了,GaN材料在LED以及RF上面被世人了解,不过目前已经发展进入了功率器件的应用领域因为GaN适合高频高压的场合。作为下一代功率器件GaN HEMT已经做好了替代 Si MOSFET的一切准备,其强劲的性能主要表现在超好的技术参数RDSON,QG,QRR等一系列影响到功率器件性能的关键参数。GaN HEMT用在开关电源系统上面可以显著的提高系统的开关效率,在硬开关下面提高开关频率使得系统体积更小,从而更显著的提高其功率密度。Transphorm这家公司专注于GaN的研究已经接近十年,公司成立于美国的加州Goleta,员工超过130人,专利超过250个,而且是目前唯一一个通过JEDEC认证的GaN的企业,FUJITSU目前与Transphorm合作为客户提供GaN HEMT的技术支持及产品。
关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
回顶部