采用TSOP-6封装、搭载最新低压HEXFET的功率MOSFET（IR）
发布时间：2012-4-24 10:52
发布者：eechina
关键词：
功率MOSFET
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国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。 全新的功率MOSFET具备极低的导通电阻(RDS(on))，能够大幅降低传导损耗。新产品可以作为N及P通道配置里的20V或30V器件，最大栅极驱动从12Vgs到20Vgs不等。 
所有新器件均达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)，不含铅、溴化物和卤素。 产品规格
新器件正接受批量订单。相关数据及MOSFET产品选型工具，请浏览IR的网站www.irf.com。 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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