搜索
热门关键词:
传感器
欧胜
Freescale
STM32
示波器
手机版
官方微博
微信公众号
登录
|
免费注册
首页
新闻
新品
文章
下载
电路
问答
视频
职场
杂谈
会展
工具
博客
论坛
在线研讨会
技术频道:
单片机/处理器
FPGA
软件/编程
电源技术
模拟电子
PCB设计
测试测量
MEMS
系统设计
无源/分立器件
音频/视频/显示
应用频道:
消费电子
工业/测控
汽车电子
通信/网络
医疗电子
机器人
当前位置:
EEChina首页
›
论坛
›
供求发布
返回列表
查看:
743
|
回复:
0
[供应]
(供求IGBT)2500V IXBK64N250和IXGA20N250HV、1200V IXYN140N120A4模块
[复制链接]
Mindy—mjd
Mindy—mjd
当前离线
积分
2422
发表于 2023-6-20 16:07:23
|
显示全部楼层
|
阅读模式
白皮书下载:测量系统构建完整指南
贸泽电子有奖问答视频,回答正确发放10元微信红包
关键词:
IGBT
,
IXYN140N120A4
,
IXGA20N250HV
,
IXBK64N250
,
晶体管
明佳达
电子
/星际金华(供求
IGBT
)2500V IXBK64N250和IXGA20N250HV、1200V IXYN140N120A4模块,如您有库存要出售,欢迎联系陈先生qq 1668527835 咨询详谈。
1、IXBK64N250 2500V 高压反向导通 (Bi
MOSFET
™) IGBT将MOSFET和IGBT的优势相结合。该高压器件的饱和
电压
和内置
二极管
的正向电压降均具有正电压温度系数,因此非常适合用于并联运行。
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):2500 V
电流
- 集电极 (Ic)(最大值):75 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3V @ 15V,64A
功率 - 最大值:735 W
输入类型:标准
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA
供应商器件封装:TO-264AA
基本产品编号:IXBK64
2、IXGA20N250HV高压IGBT(绝缘栅极双极晶体管)具有方形反向偏置安全工作区 (RBSOA) 和10μs短路耐受能力。IXGA20N250HV具有2500V集电极-发射极电压、12A集电极电流(+110°C时)以及3.1V集电极-发射极饱和电压。该器件具有VCE(sat)的正温度系数,非常适合用于并联。
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):2500 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):105 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.1V @ 15V,20A
功率 - 最大值:150 W
开关能量:-
输入类型:标准
栅极电荷:53 nC
25°C 时 Td(开/关)值:-
测试条件:-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装:TO-263HV
基本产品编号:IXGA20
3、IXYN140N120A4沟槽型1200V XPT™ GenX4™ IGBT采用专有的XPT薄晶圆技术和最先进的第四代 (GenX4™) 沟槽型IGBT工艺研发而成。该IGBT具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性,器件在开关和短路条件下具有出色的耐用性。
IGBT 类型:PT
配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):380 A
功率 - 最大值:1070 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,140A
电流 - 集电极截止(最大值):25 μA
不同 Vce 时输入
电容
(Cies):8.3 nF @ 25 V
输入:标准
NTC 热敏
电阻
:无
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装:SOT-227B
基本产品编号:IXYN140
相关文章
•
可重构晶体管登场,可用于构建有编程功能的芯片电路
•
一万亿晶体管GPU将到来,台积电董事长撰文解读
•
【MOSFET晶体管】NTMFS4C020NT1G,NTMFS5C404NLT1G,NVMFD5C466NWFT1G(供求)
•
器件:FDMS86150A / FCPF190N60 / FDBL86563-F085 / NTBGS4D1N15MC [MOSFET 晶体管]
•
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗
•
定格 28nm,“摩尔定律已死”添新证据:晶体管成本 10 年前已停止下降
•
全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化
•
下一代CFET晶体管密度翻倍 英特尔、台积电和三星展示各自方案
•
年产80万只!广汽集团旗下广州青蓝IGBT正式投产
•
了解这些 就可以搞懂IGBT
回复
举报
返回列表
高级模式
B
Color
Image
Link
Quote
Code
Smilies
您需要登录后才可以回帖
登录
|
立即注册
本版积分规则
发表回复
回帖后跳转到最后一页
关于我们
-
服务条款
-
使用指南
-
站点地图
-
友情链接
-
联系我们
电子工程网
© 版权所有
京ICP备16069177号
| 京公网安备11010502021702
快速回复
返回顶部
返回列表