SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存
发布时间：2023-6-8 09:35
发布者：eechina
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来源：全球半导体观察 2023年6月8日，SK海力士宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前，公司于去年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。 
SK海力士强调：“公司以238层NAND闪存为基础，成功开发适用于智能手机和PC的客户端SSD（Client SSD）解决方案产品，并在5月已开始量产。公司在176层甚至在238层产品，都确保了成本、性能和品质方面的世界顶级竞争力，期待这些产品在下半年能够起到改善公司业绩的牵引作用。” 238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。并且也改善了约20%的读写性能，由此公司自信，可将为采用该产品的智能手机和PC客户提供更高的性能。 SK海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后，首先向移动端产品供应238层NAND闪存，随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0*的PC固态硬盘（SSD）和数据中心级高容量固态硬盘产品等。 SK海力士238层NAND担当副社长金占寿表示：“公司今后将继续突破NAND闪存技术局限，并加强竞争力，在即将到来的市场反弹周期迎来大转机。” *PCIe 5.0：PCIe（Peripheral Component Interconnect Express）是为高速输入、输出数据而开发的串行结构的接口规格。PCIe 5.0可提供PCIe 4.0的二倍带宽（32GT/s，千兆传输/秒）。 |
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